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NE-RIE01是一款反應離子刻蝕機，主要用于半導體器件微細加工技術的干法腐蝕工藝。該設備帶有淋浴頭氣流分布系統和水冷電極樣品臺，高真空刻蝕腔體，腔室可加熱，腔體的極限真空可達到0.0035pa或更低，整機設計嚴謹，結構集中，操作簡單直觀，工藝重復性好。設備采用RIE等離子體刻蝕模式，具有刻蝕速率快、均勻性好、選擇比高、不錯的各向異性等優勢。

反應離子刻蝕(reactive ion etching,RIE)包含物理性刻蝕和化學性刻蝕兩種刻蝕作用,刻蝕時,反應室中的氣體輝光放電,產生含有離子、電子及游離基等活性物質的等離子體,可擴散并吸附到被刻蝕樣品表面與表面的原子發生化學反應,形成揮發性物質,達到刻蝕樣品表層的目的。同時,高能離子在一定的工作壓力下,射向樣品表面,進行物理轟擊和刻蝕,去除再沉積的反應產物或聚合物。化學反應產生的揮發性物質與物理轟擊的副產物均通過真空系統被抽走。

設備用途：1、蝕刻各種材料，如Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Mo、Pt、聚酰亞胺等；2、光刻膠灰化、親疏水改性、表面能提升、官能團引入、生物相容性改善等；